AL10253 Saphir Wafer Al2O3 R plan 5x5x0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 R plan 5x5x0.5 mm Description

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 5x5x0,5 mm est un substrat Al2O3 conçu pour la fabrication de haute précision dans la recherche sur les semi-conducteurs et l'optique. Ses dimensions de 5 mm x 5 mm et son épaisseur de 0,5 mm garantissent sa compatibilité avec les équipements de traitement standard. L'orientation du plan R améliore l'uniformité de la surface et l'adhérence des couches, ce qui permet des opérations de dépôt et de gravure efficaces. L'inertie chimique inhérente à l'Al2O3 favorise son utilisation dans des environnements exigeant une contamination minimale.

Plaque de saphir Al2O3 R plan 5x5x0.5 mm Applications

Applications électroniques et semi-conducteurs
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour améliorer l'isolation électrique en tirant parti de son inertie chimique.
- Utilisé comme base dans les dispositifs MEMS pour obtenir des performances stables grâce à ses dimensions contrôlées et à ses caractéristiques de surface uniformes.

Instrumentation optique et de précision
- Sert de composant dans les systèmes LED et laser pour soutenir la stabilité thermique en utilisant sa conductivité thermique élevée.
- Utilisé dans les capteurs optiques pour faciliter le dépôt de couches précises grâce à son orientation constante dans le plan R.

Plaquette de saphir Al2O3 plan R 5x5x0,5 mm Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans des conteneurs antistatiques avec des inserts en mousse pour amortir les contraintes mécaniques. Des sachets scellés avec des sachets déshydratants permettent d'éviter l'exposition à l'humidité, et le substrat est stocké à plat pour préserver son intégrité. Des options supplémentaires, telles que l'étiquetage personnalisé et la modification des conteneurs, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques des laboratoires et de la manipulation industrielle.

Questions fréquemment posées

Q1 : En quoi l'orientation du plan R est-elle bénéfique pour les étapes de traitement ultérieures ?
R1 : L'orientation du plan R minimise les irrégularités de la surface et améliore l'adhésion de la couche pendant les processus de dépôt et de gravure. Cette cohérence est cruciale pour les applications nécessitant un modelage précis et une fabrication précise des dispositifs.

Q2 : Quelles sont les mesures de manipulation recommandées pour maintenir l'intégrité du wafer ?
R2 : Il est conseillé de manipuler la plaquette dans une salle blanche à l'aide d'outils antistatiques et de la stocker dans un emballage scellé et rembourré. Ces mesures contribuent à la protection contre la contamination particulaire et les contraintes mécaniques pendant le traitement et le transport.

Q3 : Des dimensions personnalisées sont-elles disponibles pour ce substrat ?
Les exigences spécifiques sont évaluées afin de garantir le maintien de la qualité cristallographique et de la compatibilité de traitement, et les modifications sont évaluées au cas par cas.

Informations complémentaires

Le saphir, ou oxyde d'aluminium (Al2O3), est apprécié en science des matériaux pour son inertie chimique et sa conductivité thermique élevée. Ces caractéristiques en font un candidat idéal pour les substrats dans les applications qui exigent des performances thermiques et chimiques stables, en particulier dans le traitement des semi-conducteurs et la fabrication de composants optiques.

Les progrès des techniques de préparation des substrats ont amélioré la reproductibilité de l'orientation des cristaux et du contrôle de l'épaisseur. Il est essentiel de comprendre l'interaction entre la cristallographie et les propriétés des matériaux pour optimiser les performances dans les environnements de fabrication de précision et faciliter les nouveaux développements en matière d'intégration des dispositifs.