AL10250 Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.1 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.1 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 plan C (0001) 10x10x0,1 mm est un substrat d'oxyde d'aluminium monocristallin présentant un plan cristallographique (0001), mesurant 10 mm par 10 mm avec une épaisseur de 0,1 mm. L'orientation contrôlée de la plaquette et son inertie chimique inhérente permettent le traitement de dispositifs à haute température et à haute fréquence. Sa surface plane et sa faible densité de défauts garantissent une intégration efficace dans la fabrication de semi-conducteurs et d'appareils optoélectroniques.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.1 mm Applications

Applications électroniques
- Utilisation comme substrat isolant dans les dispositifs RF pour minimiser les interférences de signaux en tirant parti de sa faible perte diélectrique.
- Utilisation comme plate-forme dans les assemblages LED pour améliorer l'efficacité de l'extraction de la lumière en tirant parti de la conductivité thermique élevée et de l'inertie chimique de la plaquette.

Applications industrielles
- Utilisation comme composant dans les modules de capteurs à haute température pour obtenir des performances opérationnelles stables en tirant parti de sa stabilité thermique robuste et de sa finition de surface uniforme.

Plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0.1 mm Emballage

La plaquette est emballée dans un sachet antistatique et anti-rayures à l'intérieur d'un conteneur rigide doublé de mousse pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. Une barrière contre l'humidité protège le produit pendant le transport et le stockage. Des instructions de manipulation et des recommandations de stockage claires sont fournies pour préserver l'intégrité de la surface. Des solutions d'emballage personnalisées sont disponibles sur demande pour répondre aux besoins spécifiques des laboratoires ou de l'industrie.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles sont les méthodes de contrôle de la qualité appliquées pendant la production des plaquettes ?
R1 : Le processus de production fait appel à la diffraction des rayons X et à la profilométrie de surface pour vérifier l'orientation (0001) et détecter d'éventuels micro-défauts. Ces mesures garantissent que la plaquette répond aux spécifications rigoureuses pour le traitement des semi-conducteurs.

Q2 : En quoi l'orientation du plan C (0001) est-elle utile à la fabrication des dispositifs ?
R2 : L'orientation du plan C (0001) permet d'obtenir une surface atomiquement lisse, ce qui est essentiel pour le dépôt des couches et l'intégration des dispositifs. Cette orientation minimise les irrégularités de surface, ce qui facilite la croissance uniforme du film pendant la fabrication des semi-conducteurs.

Q3 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour préserver l'intégrité des plaquettes ?
R3 : Les plaquettes doivent être stockées dans un environnement propre, à température contrôlée, exempt d'humidité excessive et de particules. L'utilisation d'un emballage antistatique et le maintien d'une zone de stockage exempte de poussière contribuent à préserver la surface et l'intégrité générale de la plaquette.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir composés d'Al2O3 sont largement utilisés dans la science des matériaux en raison de leurs propriétés thermiques, électriques et mécaniques exceptionnelles. Leur dureté inhérente et leur inertie chimique leur permettent de résister à des environnements de traitement difficiles, ce qui les rend idéaux pour les applications semi-conductrices et optoélectroniques.

Le choix d'une orientation dans le plan C (0001) est essentiel pour obtenir des modes de croissance spécifiques dans le dépôt de couches minces. Cet alignement favorise l'uniformité sur toute la surface de la plaquette, ce qui permet d'utiliser des techniques de microfabrication avancées et de garantir des performances efficaces dans les applications de dispositifs de haute précision.