AL10248 Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x5x0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x5x0.5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 plan C (0001) 10x5x0,5 mm est fabriquée à partir d'oxyde d'aluminium de haute pureté (Al2O3) et mesure 10 mm sur 5 mm avec une épaisseur de 0,5 mm. L'orientation du plan C (0001) de la plaquette est confirmée par diffraction des rayons X, ce qui garantit l'alignement cristallographique requis pour les applications de semi-conducteurs et de substrats optiques. Le traitement contrôlé minimise les imperfections de surface et maintient la cohérence dimensionnelle pour l'intégration dans les environnements de recherche et de production.

Plaque de saphir Al2O3 plan C (0001) 10x5x0,5 mm Applications

1.
Électronique
- Utilisé comme substrat dans les modules de fabrication de semi-conducteurs pour obtenir des performances d'isolation stables en tirant parti de son orientation cristallographique uniforme.
- Utilisé comme structure de support dans les dispositifs microélectroniques pour atténuer les variations thermiques en tirant parti de sa grande stabilité thermique.

2.
Photonique
- Utilisé comme substrat de base dans les systèmes laser pour réaliser une propagation contrôlée de la lumière en tirant parti de sa grande transparence optique.
- Utilisé comme fenêtre optique dans les dispositifs spectroscopiques pour réduire les effets d'interférence en tirant parti de son inertie chimique.

Plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x5x0.5 mm Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans des supports antistatiques et anti-rayures, à l'intérieur de conteneurs rembourrés et scellables, afin d'éviter les chocs mécaniques et la contamination de la surface. L'emballage est conçu pour résister à la pénétration de l'humidité et à l'exposition aux particules pendant le transport. Les recommandations de stockage incluent un environnement contrôlé à faible humidité. Des options d'emballage personnalisées, y compris l'étiquetage traçable des lots et la compartimentation, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques des laboratoires et de la production.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation cristallographique est-elle vérifiée ?
R1 : L'orientation du plan C (0001) de la plaquette est confirmée par une analyse de diffraction des rayons X, qui mesure quantitativement l'alignement des cristaux et l'uniformité de la surface. Ce processus de vérification fournit les données nécessaires à l'intégration dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour la plaquette ?
R2 : Il est conseillé de stocker la plaquette dans un environnement propre et peu humide, dans des conteneurs antistatiques, afin d'éviter toute contamination de la surface. Ces conditions contrôlées permettent de préserver l'intégrité dimensionnelle et les propriétés cristallographiques de la plaquette au fil du temps.

Q3 : En quoi la composition du matériau de la plaquette est-elle utile au traitement des semi-conducteurs ?
R3 : La composition d'oxyde d'aluminium de haute pureté (Al2O3) offre une résistance aux contraintes thermiques et chimiques. Cette stabilité des propriétés des matériaux est essentielle lors du traitement à haute température, car elle réduit le risque de déformation du substrat et garantit la cohérence de la fabrication des dispositifs.

Informations complémentaires

L'oxyde d'aluminium (Al2O3), lorsqu'il est transformé en plaquettes de saphir, présente une stabilité chimique exceptionnelle, une conductivité thermique élevée et une dureté importante. Ces propriétés font des substrats de saphir un élément essentiel de la recherche en électronique et en photonique. Les méthodes d'évaluation des matériaux, telles que la diffraction des rayons X et la profilométrie de surface, fournissent des informations essentielles sur la structure cristalline et la qualité de la surface.

Les progrès réalisés dans les techniques de croissance et de traitement des cristaux ont permis d'améliorer l'uniformité des plaquettes et de réduire la densité des défauts. Ces progrès soutiennent une recherche plus large en science des matériaux, facilitant l'amélioration des performances et l'intégration des substrats de saphir dans des systèmes semi-conducteurs et optiques complexes.