AL10247 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Description

Le Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm est un substrat d'alumine de haute pureté présentant une orientation contrôlée (0001). Avec des dimensions de 10x10 mm et une épaisseur de 1 mm, il s'intègre bien dans l'équipement standard des semi-conducteurs. Son inertie chimique et sa stabilité thermique lui permettent de servir efficacement dans les processus de fabrication de dispositifs, tandis que la faible densité de dislocation minimise les micro-défauts dans les applications critiques.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de circuits intégrés pour obtenir un dépôt de film uniforme en tirant parti de l'orientation cristallographique contrôlée de la plaquette, réduisant ainsi la densité des défauts dans les couches actives.

Appareils optiques
- Utilisé comme plate-forme optique dans les assemblages de capteurs et de lasers pour maintenir une transmission stable de la lumière en utilisant sa résistance thermique inhérente et son inertie chimique.

Plaquette de saphir Al2O3 plan C (0001) 10x10x1 mm Emballage

Chaque plaquette de saphir est emballée individuellement dans un conteneur antistatique avec un rembourrage en mousse à faible dégagement gazeux pour éviter les dommages mécaniques. La plaquette est stockée dans un environnement propre, à humidité contrôlée, afin de minimiser la contamination de la surface et de maintenir la planéité. Les options d'emballage comprennent des compartiments spécialisés et des indicateurs d'humidité, garantissant des conditions appropriées pendant le stockage et le transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation cristallographique du substrat est-elle vérifiée ?
R1 : L'analyse par diffraction des rayons X (XRD) est utilisée pour confirmer l'alignement du plan C (0001) au cours de la production. Cette mesure, associée à un profilage optique régulier, garantit la cohérence de l'orientation cristalline et minimise les écarts de traitement.

Q2 : Quelles sont les conditions de stockage recommandées pour cette plaquette ?
R2 : La plaquette doit être stockée dans un environnement exempt de poussière et à humidité contrôlée, à des températures comprises entre 20 et 25°C. Ces conditions permettent de maintenir l'intégrité de la surface et de prévenir la contamination ou les défauts induits par la chaleur.

Q3 : Les dimensions des plaquettes peuvent-elles être adaptées à des applications spécifiques ?
R3 : Des options de personnalisation peuvent être étudiées en fonction de la faisabilité technique tout en préservant les propriétés cristallographiques contrôlées du substrat. Il est recommandé de consulter l'équipe technique pour évaluer les modifications de production pour des applications spécialisées.

Informations complémentaires

L'alumine (Al2O3) est un matériau céramique apprécié pour sa dureté, son isolation électrique et sa stabilité thermique. En tant que forme synthétique du saphir, cette plaquette bénéficie de méthodes de croissance cristalline contrôlées qui permettent d'obtenir une structure uniforme et peu défectueuse. Ces propriétés sont essentielles pour les applications nécessitant des substrats durables avec un minimum d'irrégularités interfaciales.

Une bonne compréhension des propriétés structurelles est essentielle dans l'ingénierie des semi-conducteurs et de l'optique. L'orientation contrôlée du plan C facilite l'alignement des couches minces ultérieures, ce qui réduit les problèmes liés à l'interface et améliore les performances des dispositifs dans des environnements de haute précision.