AL10245 Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 5x5x0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 plan A (11-20) 5x5x0.5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 plan A (11-20) 5x5x0,5 mm est fabriquée à partir d'oxyde d'aluminium synthétique (Al2O3) à l'aide de procédés thermiques contrôlés pour obtenir l'orientation souhaitée du plan A (11-20). Les dimensions de la plaquette de 5 mm sur 5 mm avec une épaisseur de 0,5 mm garantissent la compatibilité avec l'équipement standard de fabrication de semi-conducteurs. L'alignement cristallographique spécifique permet d'obtenir des propriétés anisotropes définies, essentielles pour les applications optiques et électriques. Le traitement contrôlé minimise les défauts, ce qui est essentiel pour la précision des performances des dispositifs.

Plaque de saphir Al2O3 A plan (11-20) 5x5x0,5 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans les composants de circuits RF pour minimiser la perte de signal en tirant parti des propriétés diélectriques stables.
- Sert de couche de base dans les microdispositifs semi-conducteurs pour assurer la stabilité dimensionnelle en utilisant la structure cristallographique uniforme.

Optoélectronique
- Utilisé comme fenêtre optique dans les modules LED pour obtenir une transmission cohérente de la lumière en utilisant la structure en treillis contrôlée par les défauts.
- Fréquemment utilisé dans les composants d'assemblage laser pour réaliser une gestion précise des photons en tirant parti des propriétés anisotropes de la plaquette.

Plaquette de saphir Al2O3 A plan (11-20) 5x5x0.5 mm Emballage

La plaquette est emballée individuellement dans une pochette antistatique et rembourrée, puis placée dans un conteneur rigide recouvert de mousse afin d'éviter tout dommage mécanique et toute contamination. Le stockage à température contrôlée et dans des conditions de faible humidité est recommandé pour maintenir l'intégrité de la surface. Des options supplémentaires de personnalisation comprennent l'emballage anti-humidité et l'étiquetage spécifique pour répondre aux normes de laboratoire ou de production.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan A contrôlé (11-20) affecte-t-elle les performances du dispositif ?
R1 : L'orientation contrôlée du plan A (11-20) améliore les propriétés anisotropes, ce qui est essentiel pour obtenir des comportements optiques et électroniques prévisibles dans les dispositifs. Cet alignement améliore la cohérence de la propagation des signaux et permet un modelage précis pendant la fabrication des semi-conducteurs.

Q2 : Quelles sont les mesures prises pendant la fabrication pour minimiser les défauts de surface ?
R2 : Le processus de fabrication comprend une synthèse à haute température et des inspections de surface par microscopie électronique à balayage. Ces étapes sont mises en œuvre pour mesurer et maintenir une faible densité de défauts de surface, ce qui est essentiel pour garantir une intégration efficace des dispositifs et des performances à long terme.

Q3 : Comment l'uniformité de l'épaisseur de la plaquette est-elle maintenue pendant la production ?
R3 : Des contrôles stricts du processus, tels que le polissage mécanique de précision et la métrologie de l'épaisseur en ligne, sont utilisés pour maintenir l'uniformité de l'épaisseur de 0,5 mm. Ces contrôles empêchent les variations qui pourraient avoir un impact sur la compatibilité des dispositifs et l'efficacité globale de la fabrication.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'oxyde d'aluminium (Al2O3), font partie intégrante de la fabrication de divers dispositifs semi-conducteurs et optoélectroniques. Leur inertie chimique inhérente et leur transparence optique les rendent adaptés aux applications nécessitant une conductivité thermique et une stabilité structurelle élevées. Ces attributs sont principalement dus à la solide liaison cristalline présente dans les matériaux Al2O3.

L'orientation du plan A (11-20) dans ces plaquettes offre un comportement anisotrope défini qui peut être exploité dans des systèmes électroniques et photoniques avancés. L'ingénierie de ces substrats exige un traitement thermique et mécanique précis, garantissant que les propriétés microstructurelles soutiennent les applications de dispositifs de haute performance dans les industries techniques.