AL10243 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 pouce x 1 pouce x 0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 1 pouce x 1 pouce x 0,5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 1 pouce x 1 pouce x 0,5 mm est un substrat de haute pureté découpé dans de l'oxyde d'aluminium avec une orientation cristallographique spécifique (0001). La taille de 1 pouce par 1 pouce avec une épaisseur de 0,5 mm assure la compatibilité avec l'équipement de traitement standard. Son état de surface contrôlé favorise la croissance épitaxiale et minimise la densité des défauts. La transparence optique inhérente facilite l'inspection précise de la surface et la vérification de la qualité tout au long des processus de fabrication des semi-conducteurs.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 1 pouce x 1 pouce x 0,5 mm Applications

Électronique
- Utilisé comme substrat dans la fabrication de DEL pour obtenir une émission lumineuse uniforme en tirant parti de la surface du plan C minimisant les défauts.
- Utilisé comme couche de base dans les circuits micro-ondes pour réduire la perte de signal en tirant parti de ses propriétés de faible perte diélectrique.

Industrie
- Utilisé comme barrière isolante dans l'électronique de puissance pour réduire la dégradation thermique grâce à sa haute résistance à la chaleur.
- Appliqué comme couche protectrice dans les assemblages de capteurs pour atténuer l'oxydation en tirant parti de l'inertie chimique du matériau.

Plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 1 pouce x 1 pouce x 0,5 mm Emballage

La plaquette est placée dans un conteneur antistatique, à l'abri de la poussière, avec un rembourrage en mousse pour minimiser l'impact mécanique. Elle est scellée dans un emballage à humidité contrôlée et stockée à température ambiante pour éviter toute contamination et préserver l'intégrité de la surface. Des sachets scellés sous vide et un étiquetage personnalisé sont disponibles en option pour les environnements exigeant un contrôle strict des particules et une traçabilité.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quelles techniques SAM utilise-t-elle pour vérifier la planéité des plaquettes et la densité des défauts ?
R1 : SAM utilise la microscopie optique associée à l'analyse interférométrique pour quantifier avec précision la planéité de la surface et identifier les défauts à micro-échelle. Ces mesures fournissent des données essentielles au maintien de l'uniformité requise dans les processus ultérieurs de fabrication de semi-conducteurs.

Q2 : En quoi l'orientation du plan C (0001) est-elle bénéfique pour les performances du substrat ?
R2 : L'orientation du plan C (0001) assure une structure de réseau uniforme, qui favorise la croissance cohérente du film épitaxial et minimise les défauts de surface. Cette orientation contribue à réduire les pertes par diffusion lors des inspections optiques et améliore la précision du traitement.

Q3 : Les dimensions des plaquettes peuvent-elles être personnalisées pour assurer la compatibilité avec des équipements spécifiques ?
R3 : Il est possible de personnaliser les dimensions des plaquettes en fonction des exigences du processus. Les demandes spécifiques concernant le diamètre ou l'épaisseur sont examinées pour s'assurer que les paramètres de croissance cristalline et l'uniformité du processus restent dans des limites acceptables. Une coordination avec l'équipe technique de SAM est recommandée.

Informations complémentaires

Les substrats de saphir, composés d'oxyde d'aluminium (Al2O3), sont largement utilisés dans le traitement des semi-conducteurs en raison de leur excellente conductivité thermique et de leur inertie chimique. Leurs propriétés cristallographiques uniques facilitent le dépôt uniforme de couches épitaxiées, ce qui les rend appropriés pour des applications de haute précision où la qualité de la surface est critique.

Les progrès récents des méthodes de croissance cristalline et d'analyse de surface ont élargi les possibilités d'application des plaquettes de saphir dans les domaines de l'électronique et de l'optoélectronique. Ces substrats servent à la fois de composants structurels et isolants, favorisant la miniaturisation des dispositifs et l'amélioration des performances dans des environnements à haute température et à haute fréquence.