AL10242 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm est fabriquée à partir d'oxyde d'aluminium (Al2O3) de haute pureté avec une orientation confirmée (0001) offrant une surface atomiquement lisse. Les dimensions de 10x10 mm et l'épaisseur de 1 mm garantissent la compatibilité avec l'équipement standard de traitement des semi-conducteurs. La faible densité de défauts de surface et l'alignement précis des cristaux facilitent les processus de dépôt ultérieurs et la précision de fabrication des dispositifs.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 10x10x1 mm Applications

1.
Électronique
- Utilisé comme substrat dans les dispositifs semi-conducteurs pour obtenir un dépôt de film contrôlé en tirant parti de l'orientation uniforme du plan C (0001) de la plaquette.
- Utilisé comme base pour les transistors à couche mince dans les systèmes d'affichage afin de maintenir l'uniformité de la couche et d'améliorer les performances de l'appareil.

2.
Industrie
- Utilisé comme couche isolante dans les modules de capteurs à haute température pour réduire les écarts de dilatation thermique en tirant parti de la composition stable de l'Al2O3.
- Appliqué dans la fabrication de composants optiques de précision pour favoriser un alignement précis et minimiser la diffusion de surface grâce à sa faible densité de défauts.

Plaque de saphir Al2O3 plan C (0001) 10x10x1 mm Emballage

La plaquette est emballée dans un support antistatique doublé de mousse à l'intérieur d'un conteneur scellé pour la protéger contre les dommages physiques et la contamination. Elle est stockée dans des conditions contrôlées et sèches à température ambiante pour éviter toute dégradation liée à l'humidité. Des solutions d'emballage personnalisées, y compris des sachets scellés sous vide et un étiquetage spécifique au lot, sont disponibles pour répondre aux exigences spécifiques de manipulation et de transport.

Questions fréquemment posées

Q1 : Quel est l'impact de l'orientation du plan C (0001) sur la fabrication des dispositifs ?
R1 : L'orientation du plan C (0001) fournit une surface atomiquement lisse qui améliore l'adhérence des couches minces et réduit la diffusion pendant le dépôt, améliorant ainsi les performances globales du dispositif.

Q2 : Comment les dimensions de la plaquette influencent-elles son intégration dans les équipements de traitement existants ?
R2 : La taille standardisée de 10x10 mm et l'épaisseur de 1 mm assurent la compatibilité avec les outils de traitement des semi-conducteurs courants, facilitant une manipulation efficace pendant la fabrication et l'alignement dans divers systèmes de dépôt.

Q3 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité mises en œuvre pendant la production des plaquettes ?
R3 : La plaquette est soumise à une inspection rigoureuse, notamment par microscopie à force atomique et évaluation optique, afin d'évaluer la rugosité de la surface et de détecter les microdéfauts, ce qui garantit l'homogénéité des propriétés du substrat.

Informations complémentaires

Les plaquettes de saphir, composées d'Al2O3, sont appréciées en science des matériaux pour leur excellente résistance thermique et chimique. Leur structure permet un contrôle précis de la morphologie de la surface, ce qui est essentiel pour les dispositifs à haute performance dans les domaines de l'électronique et de l'optique. Les chercheurs utilisent souvent ces substrats pour des études de dépôt de films avancés en raison de leurs propriétés cristallines stables.

La compréhension de l'interaction entre l'orientation cristalline et les propriétés des matériaux permet de mieux sélectionner les substrats pour diverses applications. Les progrès des techniques de dépôt et de l'analyse de surface continuent d'affiner les capacités de performance des plaques de saphir, ce qui a un impact sur toute une série de domaines technologiques, de la microélectronique à la photonique.