AL10241 Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0.5 mm

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0.5 mm Description

La plaquette de saphir Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0,5 mm est produite à partir d'oxyde d'aluminium monocristallin (Al2O3) et présente une orientation (0001). Les dimensions de 5 mm x 5 mm et l'épaisseur de 0,5 mm permettent l'intégration dans les processus d'assemblage de semi-conducteurs et d'optiques. Son orientation cristallographique définie garantit une surface lisse et une densité de dislocation réduite. Le produit se caractérise par des conditions de croissance contrôlées, vérifiées par diffraction des rayons X et profilométrie de surface.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0.5 mm Applications

1.électronique
- Utilisé comme substrat dans les circuits intégrés pour obtenir des propriétés diélectriques uniformes en tirant parti de son orientation cristallographique précise et de sa surface plane.
- Appliqué comme couche isolante dans les dispositifs microélectroniques pour minimiser les interférences électriques grâce à sa structure Al2O3 stable.

2)Optique
- Sert de fenêtre optique dans les systèmes laser pour maintenir la clarté et la cohérence grâce à sa faible densité de défauts.
- Utilisé dans les dispositifs photoniques comme matériau de base pour réduire les pertes par diffusion et améliorer les performances globales du dispositif.

Plaque de saphir Al2O3 C-plane (0001) 5x5x0.5 mm Emballage

Chaque plaquette de saphir est scellée individuellement dans une pochette antistatique et placée dans un conteneur rembourré pour éviter les dommages mécaniques et la contamination. L'emballage utilise des inserts en mousse pour limiter la pénétration des particules. Stocker dans un environnement à température et humidité contrôlées pour maintenir l'intégrité du matériau. Des options d'emballage personnalisées, y compris un étiquetage supplémentaire et une compartimentation, sont disponibles pour répondre à des exigences spécifiques en matière de manipulation et de stockage.

Questions fréquemment posées

Q1 : Comment l'orientation du plan C influence-t-elle le traitement des plaquettes ?
R1 : L'orientation du plan C (0001) permet d'obtenir une surface uniforme et atomiquement lisse, ce qui contribue à la précision des processus de lithographie et de dépôt en réduisant la densité des dislocations. Cette orientation garantit la cohérence des étapes ultérieures de fabrication des dispositifs.

Q2 : Quelles sont les mesures de contrôle de la qualité utilisées pendant la production des plaquettes ?
R2 : Le contrôle de la qualité comprend la diffraction des rayons X (XRD) pour vérifier l'orientation cristallographique et la profilométrie de surface pour évaluer la planéité et les niveaux de défaut. Ces tests confirment que la plaquette répond aux spécifications rigoureuses requises pour les applications semi-conductrices.

Q3 : Est-il possible de personnaliser les dimensions ou l'épaisseur des plaquettes ?
R3 : Des options de personnalisation peuvent être disponibles en fonction des capacités de production. Les ajustements de dimensions ou d'épaisseur spécifiques nécessitent une discussion sur la faisabilité du processus et les modifications du contrôle de la qualité qui y sont associées.

Informations complémentaires

Le saphir, en tant que forme d'Al2O3 monocristallin, joue un rôle essentiel dans la science des matériaux en raison de son inertie chimique, de sa grande stabilité thermique et de ses excellentes propriétés d'isolation électrique. Sa structure dure et stable en fait un substrat attrayant pour les applications de haute précision dans les secteurs des semi-conducteurs et de l'optique.

La compréhension des implications de l'orientation cristallographique des plaquettes de saphir est essentielle pour optimiser les performances des dispositifs. Des méthodes de caractérisation détaillées, telles que la XRD et la profilométrie de surface, garantissent que ces substrats répondent aux normes rigoureuses requises pour les processus de fabrication avancés.