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AC11707 Alumina Cramic Semiconductor Tray Al2O3 Tray

Catalogue No. AC11707
Matériau Al2O3
Formulaire Plateau

Le plateau Alumina Cramic Semiconductor Tray Al2O3 est un plateau en céramique fabriqué à partir d'oxyde d'aluminium pour les applications de traitement des semi-conducteurs. Stanford Advanced Materials (SAM) produit ces plateaux en utilisant des processus de frittage contrôlés et une inspection de la surface par microscopie optique afin de minimiser les défauts. Leur protocole de production comprend des traitements thermiques calibrés et des inspections dimensionnelles, garantissant le respect de tolérances strictes tout en préservant l'inertie chimique et la stabilité thermique inhérentes au matériau.

ENQUÊTE
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Description
Spécifications
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FAQ

Quel rôle spécifique joue le matériau Al2O3 dans les plateaux de traitement des semi-conducteurs ?

L'Al2O3 offre une inertie chimique et une stabilité thermique, ce qui le rend adapté aux processus à haute température. Ses propriétés isolantes permettent d'éviter la contamination des plaques semi-conductrices sensibles au cours des opérations de traitement.

Existe-t-il des procédures de manipulation recommandées pour le plateau en céramique afin d'éviter qu'il ne soit endommagé ?

Oui, le plateau doit être manipulé avec des gants de protection appropriés et stocké dans un environnement propre et sec. La minimisation des chocs physiques et de l'exposition à des variations de température excessives permet de préserver son intégrité structurelle.

Comment le processus de fabrication contrôle-t-il les tolérances dimensionnelles du plateau ?

Le processus de fabrication comprend un frittage calibré et des inspections dimensionnelles post-production à l'aide de systèmes optiques de précision. Ces mesures permettent de maintenir des tolérances serrées afin de garantir la compatibilité avec les équipements de traitement des semi-conducteurs. Contactez-nous pour plus d'informations.

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