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INDUSTRIES
Chimie et pharmacie Industrie pharmaceutique Aérospatiale Agriculture Automobile Fabrication de produits chimiques Dentisterie Électronique Stockage d'énergie et batteries Piles à combustible Métaux de qualité Bijoux et mode Eclairage Médical Pétrole et gaz Optique Papier et pâte à papier Produits pharmaceutiques et cosmétiques Placage Recherche et laboratoire Énergie solaire L'espace Producteurs d'acier et d'alliages Équipement sportif Textiles et tissus
CANDIDATURES
Applications du tungstène Métallurgie Semi-conducteurs Aimants en terres rares Catalyseur Poudre d'impression 3D Poudre d'alliage à haute entropie Moulage par injection de métal Fabrication additive Revêtements par pulvérisation thermique Pressage isostatique à chaud Application des terres rares Catalyseurs environnementaux Bande de marquage Matériaux OLED Fil de thermocouple Garnitures et internes Batteries Li-ion et produits chimiques électroniques Poudres métalliques pour outils diamantés Poudre magnétique douce
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  • (Arrêté) GA2156 Substrat monocristallin d'antimoniure de gallium (GaSb)

    • Arrêté (Arrêté) GA2156 Substrat monocristallin d'antimoniure de gallium (GaSb)

    Catalogue No. GA2156
    Pureté 99.99%
    Formule chimique GaSb
    Diamètre 2", 3", 4"
    Épaisseur 500±25 μm, 600±25 μm, 800±25μm
    Orientation (100) / (111) ±0.5°

    Stanford Advanced Materials (SAM) propose des substrats en GaSb monocristallin et offre aux clients le plus grand choix de matériaux en GaSb avec une grande uniformité des propriétés électriques et une excellente qualité de surface.

    Produits connexes :substrats en nitrure d'aluminium, arséniure de gallium (GaAs), poudre de nitrure de gallium (GaN), séléniure de gallium (III) (Ga2Se3).

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