{{flagHref}}
Produits
  • Produits
  • Catégories
  • Blog
  • Podcast
  • Application
  • Document
|
SDD
DEMANDER UN DEVIS
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

Arrêté (Arrêté) CY3307 Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI

Catalogue No. CY3307
Matériau SiC
Diamètre 4, 5, 6, 8 pouces
Orientation <100>, <111>
Dimensions 300-725

Plaque épitaxiale SiC-GaN EPI désigne une couche mince de semi-conducteur développée sur un substrat. Stanford Advanced Materials (SAM) possède une grande expérience dans la fabrication et la fourniture de produits optiques de haute qualité.

Produits apparentés : Plaque épitaxiale en saphir Plaque EPI, Plaque SOI, Plaque en carbure de silicium

ENQUÊTE
Ajouter à la liste d'enquête
Description
Spécifications
Avis

OBTENIR UN DEVIS

Envoyez-nous une demande dès aujourd'hui pour en savoir plus et recevoir les derniers tarifs. Merci !

* Votre nom
* Votre Email
* Nom du produit
* Votre téléphone
* Pays

France

    Commentaires
    Joindre les dessins:

    Déposez vos fichiers ici ou

    Formats de fichiers acceptés PDF, png, jpg, jpeg ; si plusieurs fichiers sont téléchargés en même temps, chaque fichier doit avoir une taille inférieure à 2 Mo.
    * Code de vérification
    Laisser un message
    Laisser un message
    * Votre nom:
    * Votre Email:
    * Nom du produit:
    * Votre téléphone:
    * Commentaires: