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CY2536 Substrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge)

Catalogue No. CY2536
Dimensions 4" de diamètre x 0,5 mm
Matériau Si-Ge(2 wt% Ge)
Orientation <100> ±0.5°
Méthode de croissance Processus de cristallisation

Lessubstrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge) ont été largement utilisés grâce à leurs excellentes propriétés. Stanford Advanced Materials (SAM) a plus de vingt ans d'expérience dans la fabrication et la vente de substrats monocristallins en silicium-germanium (Si-Ge).

En rapport : Substrat cristallin LiAlO2, Substrat cristallin LAST, Substrat cristallin LiF, Substrat cristallin NdGaO3.

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