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CY2426 Substrats de cristaux de carbure de silicium (SiC)

Catalog No. CY2426
Dimensions 10x10x0,33 mm ou sur mesure
Finition de la surface Poli, épi poli d'un côté sur la face Si
Orientation <0001> +/-0.5
Méthode de croissance MOCVD

Stanford Advanced Materials (SAM) propose une grande variété de substrats cristallins en carbure de silicium SiC. Nous disposons d'une équipe de vente professionnelle pour offrir une réponse rapide dans les 24 heures et un service chaleureux.

Produits apparentés : Substrat de cristal LiAlO2, Substrat de cristal LAST, Substrat de cristal LiF, Substrat de cristal NdGaO3, Substrat de cristal d'antimoniure de gallium.

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