CY2426 Substrats de cristaux de carbure de silicium (SiC)

Catalogue No.	CY2426
Dimensions	10x10x0,33 mm ou sur mesure
Finition de la surface	Poli, épi poli d'un côté sur la face Si
Orientation	<0001> +/-0.5
Méthode de croissance	MOCVD

Stanford Advanced Materials (SAM) propose une grande variété de substrats cristallins en carbure de silicium SiC. Nous disposons d'une équipe de vente professionnelle pour offrir une réponse rapide dans les 24 heures et un service chaleureux.

Produits apparentés : Substrat de cristal LiAlO2, Substrat de cristal LAST, Substrat de cristal LiF, Substrat de cristal NdGaO3, Substrat de cristal d'antimoniure de gallium.

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Spécifications

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Substrat de cristal de SiC
Poids de la formule	40.10
Constante de réseau	a =3,07 A c = 10,05 A
Séquence d'empilement	ABCB
Technique de croissance	MOCVD
Polissage	Face de silicium polie
Bande interdite	3,26 eV ( Indirect)
Résistivité	0,01~0,5 ohm-cm
Dureté	9 Mohs
Niveau de dopage des atomes d'azote	10^18-19 cm^-3
Rugosité de surface	< 10 A par AFM

Substrat en cristal de SiC
Poids de la formule	40.10
Constante de réseau	a =3,07 A c = 10,05 A
Séquence d'empilement	ABCB
Technique de croissance	MOCVD
Polissage	Face de silicium polie
Bande interdite	3,26 eV ( Indirect)
Résistivité	0,01~0,5 ohm-cm
Dureté	9 Mohs
Niveau de dopage des atomes d'azote	10^18-19 cm^-3
Rugosité de surface	< 10 A par AFM

CY2426 Substrats de cristaux de carbure de silicium (SiC)

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