Produits
  • Produits
  • Catégories
  • Blog
  • Podcast
  • Application
  • Document
|
SDS
DEMANDER UN DEVIS
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}

Le graphène pourrait améliorer votre appareil sans fil

L'amélioration de la vitesse des appareils est toujours bien accueillie par les fabricants et les consommateurs. IBM mène des recherches dans ce sens et semble avoir touché le jackpot avec le graphène.

Le graphène a été découvert par Andre Geim et Konstantin Novoselov à l'université de Manchester. Il a été produit pour la première fois en 2004. Il s'agit d'un type de carbone composé d'une couche d'atomes de carbone. Ces atomes sont reliés en forme d'hexagone qui se répète. Cela lui donne l'aspect d'un nid d'abeilles. C'est un matériau si fin, un million de fois plus fin que le papier, qu'il est même considéré comme bidimensionnel.

Malgré sa finesse, c'est un matériau très résistant. James Hone, professeur de génie mécanique à l'université de Columbia, a déclaré un jour qu'il faudrait la force d'un éléphant se tenant debout sur un crayon pour le briser.

Il est flexible, bon conducteur et assez solide, et peut être très utile pour diverses utilisations électroniques. Par rapport au silicium, il possède de meilleures capacités optiques, thermiques, électriques et mécaniques, ce qui le rend plus économe en énergie et moins cher que le silicium dans le domaine de l'électronique.

L'amélioration des applications de données a accru l'importance d'appareils mobiles plus performants, capables de recevoir et de transmettre efficacement de grandes quantités d'informations. Selon IBM, le graphène convient parfaitement aux appareils sans fil.

Les dimensions réduites de ce matériau rendent un peu difficile la réalisation de véritables circuits intégrés, car il pourrait facilement être endommagé au cours du processus de fabrication. Un circuit analogique a été créé en 2011 par IBM. Il disposait d'un mélangeur de fréquences à large bande, mais les performances du transistor restaient médiocres, car le processus de fabrication n'était pas aussi raffiné.

Des travaux supplémentaires ont été réalisés au fil des ans pour améliorer le prototype, et ils ont porté leurs fruits. Une méthode de fabrication a été mise au point et permettra de préserver entièrement le transistor. Cette méthode a permis aux scientifiques de créer le circuit intégré en graphène le plus sophistiqué jamais réalisé. Ils l'ont testé en envoyant un message texte contenant la mention "IBM".

D'autres tentatives de fabrication de circuits intégrés en graphène ont été signalées, mais ce circuit particulier a donné des performances 10 000 fois supérieures à celles des tentatives précédentes. Les chercheurs ont déclaré qu'il s'agissait d'une avancée dans la direction d'une véritable technologie du graphène.

Les progrès de cette technologie signifient que la perspective d'appareils sans fil moins chers, plus rapides et plus efficaces deviendra très bientôt une réalité.

CATÉGORIES
À propos de l'auteur

Chin Trento

Chin Trento est titulaire d'une licence en chimie appliquée de l'université de l'Illinois. Sa formation lui donne une large base à partir de laquelle il peut aborder de nombreux sujets. Il travaille sur l'écriture de matériaux avancés depuis plus de quatre ans à Stanford Advanced Materials (SAM). Son principal objectif en rédigeant ces articles est de fournir aux lecteurs une ressource gratuite mais de qualité. Il est heureux de recevoir des commentaires sur les fautes de frappe, les erreurs ou les divergences d'opinion que les lecteurs rencontrent.
REVUES
{{viewsNumber}} Pensée sur "{{blogTitle}}"
{{item.created_at}}

{{item.content}}

blog.levelAReply (Cancle reply)

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont marqués*

Commentaire
Nom *
Email *
{{item.children[0].created_at}}

{{item.children[0].content}}

{{item.created_at}}

{{item.content}}

Plus de réponses

LAISSER UNE RÉPONSE

Votre adresse e-mail ne sera pas publiée. Les champs obligatoires sont marqués*

Commentaire
Nom *
Email *

Nouvelles et articles connexes

PLUS >>
Valeurs D33 dans les cristaux piézoélectriques : Implications pour les applications pratiques

Découvrez comment les valeurs d33 des matériaux cristallins piézoélectriques influencent leur efficacité et leurs performances dans les applications pratiques, notamment les capteurs, les actionneurs et les collecteurs d'énergie. Cet article examine les facteurs qui influencent la valeur d33 et son rôle essentiel dans l'optimisation des technologies piézoélectriques.

LIRE PLUS >
Guide détaillé de la métallurgie des poudres pour la fabrication de cibles de pulvérisation

La métallurgie des poudres (MP) offre une méthode flexible, économe en matériaux et évolutive pour produire des cibles de pulvérisation de haute densité avec des microstructures sur mesure.

LIRE PLUS >
Six informations indispensables sur le DFARS

Le Defense Federal Acquisition Regulation Supplement, connu sous le nom de DFARS, est un cadre fondamental utilisé par le ministère américain de la Défense (DoD) pour régir les contrats de défense. Comprendre le DFARS est essentiel pour toute entité impliquée dans la chaîne d'approvisionnement de la défense américaine. Cet article fournit une vue d'ensemble structurée répondant à six questions clés : Pour plus de matériaux non chinois, nationaux et conformes au DFARS, veuillez consulter Stanford Advanced Materials.

LIRE PLUS >
Laisser un message
Laisser un message
* Votre nom:
* Votre Email:
* Nom du produit:
* Votre téléphone:
* Commentaires: