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Stanford Advanced Materials
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  • GR5855 Graphène monocouche CVD sur substrat SiO2

    • GR5855 Graphène monocouche CVD sur substrat SiO2

    Catalogue No. GR5855
    Taille 5cm*5cm
    Matériau SiO2 / Cu
    Contenu de la monocouche >99%

    Le graphènemonocouche sur substrat SiO2 fait référence à une méthode spécifique de synthèse du graphène, une couche unique d'atomes de carbone disposés dans un réseau hexagonal, sur une surface de cuivre à l'aide de techniques de dépôt chimique en phase vapeur. Stanford Advanced Materials (SAM) est en mesure de fournir du graphène monocouche d'une grande pureté et à un prix compétitif.

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