AL2804 Séléniure d'aluminium (Al2Se3) en poudre (CAS 1302-82-5)

Séléniure d'aluminium (CAS 1302-82-5) Description

Leséléniure d'aluminium (CAS 1302-82-5) est le composé chimique Al2Se3 et a été utilisé comme précurseur du séléniure d'hydrogène, qui est libéré lorsque le solide est traité avec des acides. Il doit être stocké à l'abri de l'humidité et de l'air car il est hydrolytiquement instable. Les hétérostructures combinant des semi-conducteurs III-VI et du silicium ont attiré l'attention (Fritsche et al 2002, Ueno et al 2002, Zheng et al 1996) en raison de leur correspondance étroite avec le réseau et de leurs propriétés optoélectroniques prometteuses. Al2Se3 est le chalcogénure du groupe III-VI (Schneider et Gattow 1954) le moins étudié par rapport aux autres membres de la famille des semi-conducteurs III-VI.

Spécifications duséléniure d'aluminium (CAS 1302-82-5)

Applications du séléniure d'aluminium (CAS 1302-82-5)

Le séléniure d'aluminium (CAS 1302-82-5) a été utilisé comme précurseur du séléniure d'hydrogène, qui est libéré lorsque le solide est traité avec des acides.

En outre, les semi-conducteurs basés sur des composés constitués d'éléments du groupe III et du groupe VI, tels que le séléniure d'aluminium, présentent un intérêt à la fois pour la physique associée à leurs structures de vacance intrinsèques et pour leur promesse significative en tant que matériaux de dispositifs futurs. Les composés M2X3 (où M=Al, Ga ou In et X=S, Se ou Te) présentent des structures basées sur la structure zinc-blende ou wurtzite des semi-conducteurs III-V et II-VI à liaisons tétraédriques, mais dans lesquelles un tiers des sites cationiques sont vacants. Dans les structures les plus courantes de l'Al2Se3, du Ga2Se3 et de l'In2Se3 en vrac, les lacunes intrinsèques sont localisées le long d'hélices (également trouvées pour le γ-In2Se3), de lignes et de plans, respectivement. Cela fait des matériaux M2X3 comme le séléniure d'aluminium des candidats intrigants pour la fonctionnalisation par l'ordonnancement des vides (par exemple, en créant des propriétés optiques anisotropes), et/ou l'occupation des vides par des éléments supplémentaires (par exemple, des métaux de transition). Les constantes de réseau de Ga2Se3 et Al2Se3 sont proches de celles du Si (0,1 et 1,3 % de décalage, respectivement), ce qui permet de combiner les propriétés uniques de ces matériaux à lacunes intrinsèques avec la technologie du silicium.

Référence

Chih-Yuan Lu, Jonathan A. Adams, Qiuming Yu, Taisuke Ohta, Marjorie A. Olmstead et Fumio S. Ohuchi : Heteroepitaxial Growth of the Intrinsic Vacancy Semiconductor Al2Se3 on Si(111) : Initial Structure and Morphology. http://faculty.washington.edu/olmstd/research/papers/Lu_Al2Se3_Si111_preprint.pdf