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    • Mémoire à haute endurance ultrarapide basée sur des ferroélectriques coulissants

    Titre Mémoire à haute endurance ultrarapide basée sur des ferroélectriques coulissants
    Auteurs Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller, Xirui Wang, Daniel Bennett, Suraj S. Cheema, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Efthimios Kaxiras, Pablo Jarillo-Herrero, Raymond Ashoori
    Journal La science
    Date 07/05/2024
    DOI 10.1126/science.adp3575
    Introduction La capacité des phénomènes électroniques collectifs commutables en tension à persister à l'échelle atomique est très prometteuse pour l'électronique compacte et économe en énergie, en particulier pour le développement de la mémoire non volatile. Cette étude évalue les caractéristiques d'un transistor ferroélectrique à effet de champ (FeFET) qui utilise la ferroélectricité coulissante dans le nitrure de bore bicouche à température ambiante. La ferroélectricité de glissement offre un mécanisme distinct pour les ferroélectriques bidimensionnels (2D) atomiquement minces, impliquant la modulation de la polarisation hors plan via le glissement entre les couches. Le dispositif FeFET, doté d'un canal en graphène monocouche, a permis une commutation ultrarapide à l'échelle de la nanoseconde et une endurance exceptionnelle dépassant 10^11 cycles, ce qui correspond aux principales technologies FeFET. Ces caractéristiques soulignent l'utilité des ferroélectriques à glissement 2D pour faire progresser les futures applications de mémoire non volatile.
    Citation Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller et Xirui Wang et al. Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics. Science. 2024. Vol. 385(6704):53-56. DOI : 10.1126/science.adp3575
    Élément Bore (B) , Azote (N) , Carbone (C)
    Thèmes Matériaux intelligents et fonctionnels
    L'industrie Électronique
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