{{flagHref}}
Produits
  • Produits
  • Catégories
  • Blog
  • Podcast
  • Application
  • Document
|
/ {{languageFlag}}
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Sélectionnez la langue
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
a

Alliage d'argent à haute concentration et gradation du gallium à fort contact arrière permettant d'obtenir une cellule solaire au séléniure de cuivre, d'indium et de gallium d'une efficacité de 23,6%.

Titre Alliage d'argent à haute concentration et gradation du gallium à fort contact arrière permettant d'obtenir une cellule solaire au séléniure de cuivre, d'indium et de gallium d'une efficacité de 23,6%.
Auteurs Jan Keller, Klara Kiselman, Olivier Donzel-Gargand, Natalia M. Martin, Melike Babucci, Olle Lundberg, Erik Wallin, Lars Stolt, Marika Edoff
Journal L'énergie de la nature
Date 02/19/2024
DOI 10.1038/s41560-024-01472-3
Introduction Les cellules solaires à la chalcopyrite ont atteint des rendements de 23,35 %, mais il s'est avéré difficile de les améliorer davantage. Ce travail détaille l'obtention d'un rendement certifié de 23,64 % pour une cellule solaire (Ag,Cu)(In,Ga)Se2, obtenue grâce à plusieurs approches clés. Celles-ci comprennent l'intégration d'une teneur significative en argent ([Ag]/([Ag] + [Cu]) = 0,19) dans la couche absorbante et l'application d'un profil distinct de gradation du gallium. Ce profil se caractérise par une forte concentration de gallium près du contact arrière en molybdène, qui diminue pour atteindre une concentration constante et plus faible près de la couche tampon en CdS. Cette distribution précise des éléments atténue efficacement les variations latérales et profondes de la bande interdite, réduisant ainsi les pertes de tension en circuit ouvert. En outre, l'énergie de la bande interdite qui en résulte est fixée de manière optimale à environ 1,15 eV. Une stratégie supplémentaire implique un traitement post-dépôt au fluorure de rubidium (RbF), qui facilite la création d'une phase Rb-In-Se, probablement RbInSe2, qui passive efficacement la surface de l'absorbeur. L'étude présente également des pistes de recherche prospectives visant à atteindre une efficacité de 25 %.
Citation Jan Keller, Klara Kiselman et Olivier Donzel-Gargand et al. High-concentration silver alloying and steep back-contact gallium grading enabling copper indium gallium selenide solar cell with 23.6% efficiency. Nat. Energy. 2024. DOI: 10.1038/s41560-024-01472-3
Élément Argent (Ag)
Documents connexes
Chargement... Veuillez patienter...
Publiez vos recherches et vos articles sur le site web de SAM
Avertissement
Cette page fournit uniquement les métadonnées des articles académiques pour aider les utilisateurs à localiser facilement les informations pertinentes. Pour accéder au contenu complet des articles, veuillez utiliser le DOI pour visiter le site web de l'éditeur original. Les données proviennent de bases de données académiques accessibles au public et respectent les conditions d'utilisation de ces plateformes. Si vous avez des préoccupations concernant les droits d'auteur, veuillez nous contacter. Nous y répondrons rapidement.

Succès! Vous êtes maintenant abonné

Vous avez été abonné avec succès! Vérifiez bientôt votre boîte de réception pour les e-mails de cet expéditeur.
Laisser un message
Laisser un message
* Votre nom:
* Votre Email:
* Nom du produit:
* Votre téléphone:
* Commentaires: